트 랜 지 스 터
■ 종류 : 트랜지스터에는 NPN형과 PNP형이 있습니다. NPN형은 중앙에 P형 반도체, 양측에 N형 반도체로 구성되어 있고, PNP형은 중앙에 N형 반도체, 양측에 P형 반도체로 구성되어 있습니다. 이때 중앙에 끼워져 있는 반도체는 두께가 수 μm정도에 불과할 정도로 얇게 되어 있습니다. 이 부분을 베이스(Base : B)라고 합니다. 베이스양쪽에 있는 다른 종류의 반도체 중 어느 한쪽을 이미터(Emitte: E), 다른 한쪽을 콜렉터(Collector : C)라 합니다. 이미터와 콜렉터는 불순물의 농도, 접합부의 면적 등 구조상 다르게 되어 있습니다. 트랜지스터의 기호는 그림 (a)와 같이 이미터의 화살표가 베이스를 향하고 있는 것이 PNP형이고, (b)와 같이 화살표가 베이스에서 이미터를 향하고 있는 것이 NPN형입니다.
■ 트랜지스터의 증폭 구조 : 트랜지스터의 기본은 다이오드(다이오드 부분 참고)입니다. 제1단계로 NPN형 트랜지스터에서 콜렉터와 베이스간에 아래 그림 (a)와 같이 콜렉터에 건전지의 (+)전압을 연결하고 베이스에 건전지의 (-)전압을 걸면 다이오드에서 설명한 것과 같이 역방향 전압이 되어 전류는 흐르지 않습니다. 제2단계로 콜렉터와 베이스간에 역방향 전압을 그대로 두고, 베이스와 이미터간에 아래 그림 (b)와 같이 베이스에 건전지의 (+)전압을 걸고, 이미터에 건전지의 (-)전압을 연결하면 베이스에 단 1㎃의 전류만 흐르게 하였는데도 콜렉터에는 100㎃의 전류가 흐르게 됩니다. 이렇게 베이스에 1㎃의 전류를 흐르게 하였을 때 콜렉터에 100㎃의 전류가 흐르게 되는 것이 트랜지스터의 증폭 구조입니다. 그래서 트랜지스터는 전류의 증폭 작용을 합니다.
■ 트랜지스터의 극성 판별 : 트랜지스터를 납땜할 때는 극성을 정확히 판별하여 바르게 꽂아 납땜해야 합니다. 극성을 판별할 때는 먼저, 회로 시험기의 전환 스위치를 R100 또는 R1000의 측정 범위에 놓고 임의의 리드봉을 트랜지스터의 한 핀에 대고 다른 리드봉을 트랜지스터의 나머지 두 핀에 각각 대어 봅니다. 이때 순방향을 지시하는 상태(저항값이 0Ω 부근의 작은 상태)에서 NPN형은 흑색 리드봉이 닿은 쪽이 베이스 전극이고, PNP형이면 적색 리드봉이 닿은 쪽이 베이스 전극입니다. 다음, 회로 시험기의 전환 스위치를 R10000의 범위에 놓고 베이스 전극을 제외한 나머지 두 핀의 저항 값을 번갈아 측정하여 순방향 지시 상태가 되었을 때, NPN형이면 적색 리드봉이 닿은 쪽이 콜렉터 전극이고, PNP형이면 흑색 리드봉이 닿은 쪽이 콜렉트 전극입니다.
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