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작성자 불사 작성시간23.10.10 새로운 에너지 준위는 도핑원자의 이온화 에너지에 관련되어있는걸로 알고있습니다. 학생들에게는 정성적으로 n형의 경우 전자하나가 약하게 붙잡혀있어 적은에너지로도 쉽게 전도띠로 간다 홀의 경우 원자가띠에 있는 전자가 작은 에너지로도 이동가능하다 식으로 알려주고있습니다
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작성자 물지 작성시간23.10.11 제가 알기론 저 준위가 아마 전자나 양공 같은 페르미온이 존재할 확률이 1/2이 되는 준위인 페르미 준위라고 알고 있는데 원래 실리콘으로만 결합된 진성 반도체의 경우에는 페르미 준위가 금지된 영역 한가운데에 있습니다. N형의 경우에는 원자가띠가 꽉차서 잉여 전자가 다음 에너지 띠인 전도띠로 쉽게 이동할 수 있기 때문에 금지된 영역 가운데 기준으로 전도띠 근처에 존재할 확률이 더 높게 돼서 확률이 1/2이 되는 페르미 준위도 전도띠 근처에 위치하게 되고, P형의 경우에는 원자가띠에 있던 전자가 양공이 있던 준위로 쉽게 이동할 수 있기에 금지된 영역 가운데 기준으로 원자가띠 근처에서 양공또는 전자가 발견될 확률이 높기에 페르미 준위도 원자가띠 근처에 형성된다고 알고 있습니다. 더 자세한 내용은 저도 부족해서 모르겠네요…ㅎㅎ