[질문]결정장이론(CFT) 의 한계

[안녕!UFO]

결정장이론(CFT) 에서 궁금한게 생겼습니다.

첫번째 질문 - 휴이에는 분광화학적 계열이 장의 세기가 증가하는 순서로 리간드를 나열한 것이라는데...분광화학적 계열이 크다는 의미를 모르겠어요ㅠ

분광화학적 계열이 크면 Δ(d궤도함수의 갈라짐)가 더 커지는 건 가요?

분광화학적 계열이 더 큰 리간드는 더 안정한 착물을 형성하여 Δ가 더 커지고 저스핀 착물을 형성한다고 정리해도 되는건가요?

결정장이론(CFT) 의 한계

1.  분광화학적 계열에서 음이온 리간드(Cl-)보다 중성 리간드(CO)가 더 크다는 것

만약 CFT의 가정같이 순수한 정전기적 인력이라면 음이온 리간드가 더 커야 한다.

질문 - 여기서 분광화학적 계열에서 음이온 리간드(Cl-)보다 중성 리간드(NH3)가 더 큰 이유를

          CO가 π 받개 능력이 커서 역결합이 잘 되서 더 안정한 착물을 이룬다  고 생각해도 될까요?

         그럼 Cl-가 분광화학적 계열이 작은 이유는 무엇일까요??ㅠㅠ

2. 전자구름 퍼짐효과

질문 - 결합형성시에 관찰되는 전자간 반발의 감소를 전자구름 퍼짐효과라고 하나요?

          전자구름 퍼짐효과가 정확히 어떤 사실을 말하나요?

          또 전자구름 퍼짐효과가 CFT의 순수한 정전기적 인력이라는 가정의 반론이라는데...

          왜 반론이 되는지 모르겠어요ㅠ

          CFT의 순수한 정전기적 인력이라는 가정으로는 결합형성시에 관찰되는 전자간 반발의 감소가

          일어나지 못하나요? 만약 일어나지 못한다면 그 이유는?

이 부분을 읽다가 머리가 너무 복잡해졌네요ㅠㅠ

질문이 많아 부끄럽지만...회원님들의 도움이 간절합니다ㅠ

긴 질문 읽어 주셔서 감사해요~

[만화쥔공]

1. 염소이온은 전기 음성도가 커서 금속에게 전자를 잘 주지 못하고, 따라서 금속에 전자가 풍부하지 못해 금속에서 염소 로의 전자 이동 즉 파이 결합이 형성 되지 못합니다.
그러면 금속,염소의 결은 약하여 d(xy,yz,zx) 궤도와 d(z2, x2-y2)궤도 사이의 에너지 차이가 작아서 분광학적 계열이 작은게 아닐런지요. ㅎ

[안녕!UFO]

감사해요^^

[적당히해]

질문하신거와 마찬가지로 CFT의 한계가 바로 이 분광학적 계열입니다. 바꿔말하면 CFT로는 도저히 설명히 안된다는 얘기인데요 결국 이런한계를 MO이론이 설명함으로써 게임은 끝나게 됩니다. 중성 리간드(NH3)와 비교하면 CO가 강한 π 받개 능력을 가지고 있고 Cl-는 약한 전자 주개입니다. Cl-도 파이결합을 하는데요 약하게 줄뿐입니다. 그래서 왜 그렇게 되냐고 물으신다면 책의 분자오비탈 그림을 참고하실수 밖에 없습니다. 덧붙이자면 CO는 파이결합을 하면서 t2g(파이결합)와 eg* 간격이 더 증가하는데 cl-는 파이전기음성도가 커서 파이오비탈이 더 아래로 떨어지게 됩니다. 결국 t2g*(파이 반결합)가 eg* 바로 아래까지 내려오면서

[적당히해]

간격은 더 좁아지게 됩니다. 전자구름 퍼짐효과는 잘모르지만 이온결합은 정전기적 인력으로 결합하는거지 공유결합처럼 전자공유를 하는게 아니자나요? 이온결합같은 경우는 각 원자의 전자들의 이동이 없지만 공유결합은 결헙 시 전자의 교환(오비탈 겹침)이 알어나기때문에 전자구름이 퍼지는 효과가 나타난다고 생각하면될거 같습니다. 따라서 배위결합이 CFT가 생각했던거 처럼 순수 이온결합으로만 이루어지지는 않는다는 증거가 되겠지요~