Lithography(용어설명)

[예스맨]

반도체 Lithography(용어설명)

● HMDS(Hexamethyldisilazane)prime : 분자식은 (CH3)3Si-NH-Si(CH3)3로서 Si 기판 위

의 결합되어 있는 산소(O)와 화학적 반응을 하여 기판과 Photoresist간에 접착력

을 향상시키는 공정이다.

● Resist coating : Spin 방식에 의하여 photoresist를 균일하게 도포하는 공정이다.

● Soft bake : Photoresist내에 존재하는 약 80-90%의 solvent를 열에너지에 의해 증발

시켜 고형의 레지스트 필름 상태를 유지하는 공정이다.

● Exposure : Mask를 투과하는 빛이 photoresist의 광화학반응을 노광 지역에 한하여 선

택적으로 일으키게하여, 기 형성된 패턴과의 중첩정확도(overlay accuracy)를 유

지하는 공정이다.

● Post exposure bake : i-line 포토레지스트의 경우에는 Exposure시 photoresist내에서

입사광과 반사광 사이의 상호 간섭 현상에 의하여 형성된 광감응제(PAC)의 농도

차이를 열에너지를 이용하여 감소시켜 결과적으로 정재파 현상을 감소시키는

공정이다. DUV 포토레지스트에서는 노광에 의해 생성된 산(H+)을 증폭시켜 레지

스트의 resin에서 용해도의 차이를 유발한다.

● Develop : 알칼리 용액(TMAH 2.38% : Tetramethyl-Ammonium Hydroxide)을 사용

하여 노광지역과 비노광 지역간에 용해도 차이에 의한 화학 반응을 이용함으로써

최종적으로 패턴 형성을 재현하는 공정이다.

● Inspection : Patterning된 결과에 대한 공정품질 즉 CD, Overlay accuracy, resist

pattern profile 및 defect 유무등을 공정규격에 준하여 검사하는 단계이다.

● Bottom resist coating : Topology 평탄화 및 최종적 mask image 역할을 하며, 150℃

이상의 고온 bake를 실시 resist의 O2 plasma 식각을 용이하게 한다.

● Interlayer : SOG, PECVD oxide가 사용되며 하층 resist etching시 mask 역할을 한다.

● Top resist : Exposure에 의하여 image가 형성되는 층으로, 평탄화된 topology 조건

하에서 resist image 층을 0.4μm 이하로 매우 낮게 유지하여 해상능력을 향상

시키게 된다.