근데 현재의 설정값(68K/103)으로는 FET의 전압마진을 가질수 없어서
CLAMPING효과를 더하기 위하여 저항을 20K로 바꾸었는데요...
그리하여 전압마진을 갖게되었고 SPEC IN되었슴다...
고로, RCD 스너버 정수값의 결정방법(계산식이용) 및 68K에서 20K로 변경시 문제가 될 수 있는부분에대한 상세검토가 필요하다는데요....
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그 업체 참으로 엔지니어를 힘들게 하는군요..그러나 어찌보면 당연한 요구인것 같기도 합니다.
제가 답변해야될 입장이라면 이런 방식을 택하겠습니다.
1. 예를들어 FET Vds,max 허용치가 700V 라고 했을때, 68K 인경우는 680V 로서 마진이 20V 밖에 안되지만 20K 를 사용하게 되면 650V 로서 마진을 50V 확보하게 된다.
2. 저항 변경시에 문제점으로는 20K 와트수가 증가하게 되어 와트가 큰 용량을 사용해야 되므로 미소한 가격상승 원인이 발생된다 (효율이 저하된다는 건 우선 비밀..)
3. 위의 마진에 대한 계산식을 적절히 추론하고, 실제 전압파형을 측정하여 첨부한다. 물론 계산과정등을 설명할수 있는 RCD 동작개요서도 제공한다.
FET 양단에 발생하는 OFF 시의 스파이크성 전압생성 원인은 다음과 같습니다. 회로는 FLYBACK 이겠죠?
그노무 트랜스포머 내에 존재한는 leakage inductance 때문에 모든것이 야기됩니다. 스위칭 한주기 상에서 FET 가 on 이 되면 leakage inductance 양단에 걸리는 전압이 positive 였다고 했을때, FET 가 off 되는 그순간 Lenz's 의 법칙에 의거 그전압이 infinite negative 가 되려고 합니다. Lenz's 법칙은요 일종의 작용/반작용이라 생각하시면 됩니다. 스위치 on 시에 저장된 에너지가 off 시에는 갈데가 없잖아요..그래서 가고싶어하는 자동차에 브레이크 걸었으니 미끄러지겠죠..인덕터에 저장된 에너지가 스위치 off 가 되는 그순간 미끄러지면서 FET 드레인에 보이겠네요, FET 드레인단에 보이는 이러한 스파이크성 전압을 전문용어로는 [leakage inductance spike voltage] 라 칭합니다. 당근 이 전압이 FET 정격을 넘어서면 안되는 거겠죠..
leakage inductance 는 등가적으로 ideal transformer 와 직렬로 회로상에 보임니다.
RCD 스너버 동작개요는 다음과 같습니다.
스위치가 on 되었을시 leakage inductance 에 에너지가 저장되고, 스위치가 off 되었을 때 이 에너지가 스파이크성 전압으로 나타나며, 이 스파이크성 전압이 RCD 다이오드를 충분히 on 시킵니다. 따라서 인덕턴스에 저장된 에너지가 다이오드를 통해 콘덴서로 충전하게 됩니다.
FET 가 다시 on 이 되면 leakage inductance 양단 전압이 다시 positive가 되고요, 재충전 하기 시작하겠죠,,또한 다이오드가 off 되고요, 이에따라 콘덴서는 저항으로 에너지를 방전하게 됩니다. 고로 한주기 동안 on time 시 leakage inductance 에 저장된 에너지가 모두, off time 시 콘덴서로 이동될수 있도록 c 값을 결정해야 되고요, 다시 on time 시 콘덴서가 모두 저항으로 방전될수 있도록 저항치 결정해야죠,,,
당근 leakage inductance 에너지가 콘덴서로 흡수되는 과정에서 FET 드레인 전압은 낮아진다고 봐야죠..
구간으로 보면,,,
1. on-time : inductance 에 에너지 충전(양단전압 positive), 다이오드 off, 콘덴서 저항으로 방전,
2. off-time : inductance 에너지 방전(양단전압 negative) , 다이오드 on, 콘덴서 충전...
스너버 계산식을 따져보면 그 원리는 이렇습니다.
1. C 값 설정 : leakage inductance Le 에 저장된 에너지가 모두 C 에 이동될수 있도록 C 를 가격고려하면서 크게 설정합니다.
따라서 수식은요, 에너지 등가식을 이용하여 : 1/2*(Le*i*i)=1/2*(C*V*V)
훔,,,수식활용하려면, 측정 잘해야 될거 같네요,
2. R 값 설정 : 한주기 동안 C 에 저장된 에너지가 모두 저항으로 방전되도록 R 값 설정합니다. 따라서 RC 시정수가 충분히 스위칭 한주기보다 작도록 설정하면 되겠네요, 사실 이케 안되면 스너버가 제 역할을 안한다고 봐야죠...
수식은요 RC=1/3*Ts 정도...ㅎㅎ
이와 관련하여 FET 양단전압의 스파이크성 피크치의 계산법은요 사실 상당합니다. 변수를 어디까지 고려하느냐에 따라서 계산식이 어마어마 하거든요, 일반적으로는 입력 DC 전압의 두배에서 30% 정도 더 올라간다라고 책에는 되어 있는데요, Vds,max = [2*Vdc]*(1.3), 제가 가지고 있는 Flyback 회로에서 Vds,max 게산식을 자료실에 첨부하여 올릴랍니다. 참고하시고요,,,건승을 빕니다.
* 자료실 첨부 [Vds,max.HWP] 1부.
CLAMPING효과를 더하기 위하여 저항을 20K로 바꾸었는데요...
그리하여 전압마진을 갖게되었고 SPEC IN되었슴다...
고로, RCD 스너버 정수값의 결정방법(계산식이용) 및 68K에서 20K로 변경시 문제가 될 수 있는부분에대한 상세검토가 필요하다는데요....
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그 업체 참으로 엔지니어를 힘들게 하는군요..그러나 어찌보면 당연한 요구인것 같기도 합니다.
제가 답변해야될 입장이라면 이런 방식을 택하겠습니다.
1. 예를들어 FET Vds,max 허용치가 700V 라고 했을때, 68K 인경우는 680V 로서 마진이 20V 밖에 안되지만 20K 를 사용하게 되면 650V 로서 마진을 50V 확보하게 된다.
2. 저항 변경시에 문제점으로는 20K 와트수가 증가하게 되어 와트가 큰 용량을 사용해야 되므로 미소한 가격상승 원인이 발생된다 (효율이 저하된다는 건 우선 비밀..)
3. 위의 마진에 대한 계산식을 적절히 추론하고, 실제 전압파형을 측정하여 첨부한다. 물론 계산과정등을 설명할수 있는 RCD 동작개요서도 제공한다.
FET 양단에 발생하는 OFF 시의 스파이크성 전압생성 원인은 다음과 같습니다. 회로는 FLYBACK 이겠죠?
그노무 트랜스포머 내에 존재한는 leakage inductance 때문에 모든것이 야기됩니다. 스위칭 한주기 상에서 FET 가 on 이 되면 leakage inductance 양단에 걸리는 전압이 positive 였다고 했을때, FET 가 off 되는 그순간 Lenz's 의 법칙에 의거 그전압이 infinite negative 가 되려고 합니다. Lenz's 법칙은요 일종의 작용/반작용이라 생각하시면 됩니다. 스위치 on 시에 저장된 에너지가 off 시에는 갈데가 없잖아요..그래서 가고싶어하는 자동차에 브레이크 걸었으니 미끄러지겠죠..인덕터에 저장된 에너지가 스위치 off 가 되는 그순간 미끄러지면서 FET 드레인에 보이겠네요, FET 드레인단에 보이는 이러한 스파이크성 전압을 전문용어로는 [leakage inductance spike voltage] 라 칭합니다. 당근 이 전압이 FET 정격을 넘어서면 안되는 거겠죠..
leakage inductance 는 등가적으로 ideal transformer 와 직렬로 회로상에 보임니다.
RCD 스너버 동작개요는 다음과 같습니다.
스위치가 on 되었을시 leakage inductance 에 에너지가 저장되고, 스위치가 off 되었을 때 이 에너지가 스파이크성 전압으로 나타나며, 이 스파이크성 전압이 RCD 다이오드를 충분히 on 시킵니다. 따라서 인덕턴스에 저장된 에너지가 다이오드를 통해 콘덴서로 충전하게 됩니다.
FET 가 다시 on 이 되면 leakage inductance 양단 전압이 다시 positive가 되고요, 재충전 하기 시작하겠죠,,또한 다이오드가 off 되고요, 이에따라 콘덴서는 저항으로 에너지를 방전하게 됩니다. 고로 한주기 동안 on time 시 leakage inductance 에 저장된 에너지가 모두, off time 시 콘덴서로 이동될수 있도록 c 값을 결정해야 되고요, 다시 on time 시 콘덴서가 모두 저항으로 방전될수 있도록 저항치 결정해야죠,,,
당근 leakage inductance 에너지가 콘덴서로 흡수되는 과정에서 FET 드레인 전압은 낮아진다고 봐야죠..
구간으로 보면,,,
1. on-time : inductance 에 에너지 충전(양단전압 positive), 다이오드 off, 콘덴서 저항으로 방전,
2. off-time : inductance 에너지 방전(양단전압 negative) , 다이오드 on, 콘덴서 충전...
스너버 계산식을 따져보면 그 원리는 이렇습니다.
1. C 값 설정 : leakage inductance Le 에 저장된 에너지가 모두 C 에 이동될수 있도록 C 를 가격고려하면서 크게 설정합니다.
따라서 수식은요, 에너지 등가식을 이용하여 : 1/2*(Le*i*i)=1/2*(C*V*V)
훔,,,수식활용하려면, 측정 잘해야 될거 같네요,
2. R 값 설정 : 한주기 동안 C 에 저장된 에너지가 모두 저항으로 방전되도록 R 값 설정합니다. 따라서 RC 시정수가 충분히 스위칭 한주기보다 작도록 설정하면 되겠네요, 사실 이케 안되면 스너버가 제 역할을 안한다고 봐야죠...
수식은요 RC=1/3*Ts 정도...ㅎㅎ
이와 관련하여 FET 양단전압의 스파이크성 피크치의 계산법은요 사실 상당합니다. 변수를 어디까지 고려하느냐에 따라서 계산식이 어마어마 하거든요, 일반적으로는 입력 DC 전압의 두배에서 30% 정도 더 올라간다라고 책에는 되어 있는데요, Vds,max = [2*Vdc]*(1.3), 제가 가지고 있는 Flyback 회로에서 Vds,max 게산식을 자료실에 첨부하여 올릴랍니다. 참고하시고요,,,건승을 빕니다.
* 자료실 첨부 [Vds,max.HWP] 1부.
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댓글
댓글 리스트-
작성자냠스 작성시간 03.11.01 우아... 거의 감동입니다..... 그런데요... 자료실의 그놈... 어떻게 열어요? 전 한글 97 사용중입니다.
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작성자하수 작성자 본인 여부 작성자 작성시간 03.11.03 한글2002, 또는 한글 워디안...으로 열어보세요..허접//
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작성자나른한오후 작성시간 16.01.04 우와.. 저도 감동받았습니다... 친절하게 설명해주셔서 정말 감사합니다!!!!!! ^^
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작성자vv천하제일vv 작성시간 17.02.23 저기 죄송한데 맨마지막에 있는 자료실 첨부 [Vds,max.HWP] 1부. 이자료 어디에서 구할수 있는지 알려주세요 어느 자료실인지.....
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작성자선키 작성시간 18.06.04 감사합니다^^진짜 설명 잘해주셔서 한번에 이해했습니다.