Rambus DRAM.
미국 반도체 설계 회사인 램버스사(社)가 처음 개발한 새로운 디램으로
기존의 디램이나 에스램(SRAM)에 해 월등히 높은 속도를 자랑한다.
일반적으로 디램은 집적도가 높아지면서 데이터 채널 등의 구조가 복잡해져
잡음이 발생하고 신호 왜곡 현상을 보여 데이터 처리 속도를 높이는데 한계가 있다.
그러나 램버스 디램(RDRAM)은 이런 복잡한 신호 전송망을 병렬로 배치해
단순화시킨 버스 방식을 채택하여 속도의 한계를 극복하였다.
램버스 디램은 4개의 다중 램버스 채널을 사용하는데
각각의 채널은 1초에 533MB를 전송할 수 있고,
4개의 채널을 사용하므로 이론적으로는 초당 2GB 이상의 전송 속도를 낸다.
또한 PC100 메모리의 2배인 267MHz까지 버스 속도를 내는 것으로 알려져 있다.
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SDRAM .
*Synchronous DRAM(SDRAM)
이 메모리는 CPU의 지배하에서 비교적 벗어나 있다고 할 수 있는데,
SDRAM은 제어신호를 기다리지 않고 무조건 데이터를 출력합니다.
즉 메인보드의 칩셋이 첫 번째 버스트 사이클 액세스 명령을 내리면
그 다음은 읽던 안읽던 무조건 SRAM의 데이터를 순서대로 출력하고 보는 것입니다.
그러므로 더욱 고속화할 수 있게 되는 것입니다.
그러나 무조건적으로 출력을 하는 것이 아니라 CPU의 클럭에 맞추어 데이터를 출력하는 것입니다.
즉, 메인보드 칩셋에서 스트 사이클 액세스 명령이 오자마자
CPU 클럭에 맞추어 데이터를 출력하는 것입니다.
또한 자신의 클럭으로 작동하기 때문에 다른 시스템이 더 빠른 클럭으로
동작할 수 있는 장점도 있습니다.
SD램의 가장 큰 특징은 시스템 클럭이 동기화(싱크로너스)되어 있다는 것이다.
즉, 모든 신호는 클럭과 거의 일치하며, 타이밍은 훨씬 타이트하고 조절하기 쉬워진다.
SD램은 어싱크로너스 D램보다 훨씬 빠르며, 시스템 성능 향상을 가져 온다
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DDRRAM.
Double Data Rate SD램(DDR SD램)
DDR SD램은 몇년 전의 구식 FPM, EDO 램 같은 어싱크로너스 D램을 대체하기 위해 발표되었다.
이런 구식 메모리는 75MHz 이상의 버스 속도에서 동작하기에는 한계가 있기 때문이다.
버스 속도가 계속 증가하면서 SD램 역시 그 한계를 보인다.
이런 SD램을 대체할 새로운 표준안중 하나가 바로
Double Data Rate SD램 또는 DDR SD램이라는 것이다.
DDR SD램은 표준 SD램과 거의 유사하게 동작하나
사이클당 두 번의 전송 - 클럭 신호의 rising, falling edge에서 - 을 하면서 대역폭을
두 배로 늘린 것이다.
이 클럭 신호라는 것은 각 사이클마다 0 → 1 → 0 의 과정을 거치게 되는데,
첫 번째 신호 변환(0 → 1)이 'rising edge'이고, 두 번째 신호 변환(1 → 0)이 'falling edge'이다.
표준 SD램은 이 두 번의 신호변환 중 한번만 데이터 전송이 되지만, DDR SD램은 둘 다 이용한다.
이것은 이미 많이 알려진 AGP 2x 기술에서 이용하는 것이다.
그래서 DDR SD램은 모듈보다는 그래픽카드 시장에서 인기를 끌며 적용되고 있음.
무엇보다도 시장에 빨리 나올 수 있고, 상대적으로 저렴하며,
그래픽카드의 확실한 성능 향상이 보장되기 때문이다. 반도체 Test
미국 반도체 설계 회사인 램버스사(社)가 처음 개발한 새로운 디램으로
기존의 디램이나 에스램(SRAM)에 해 월등히 높은 속도를 자랑한다.
일반적으로 디램은 집적도가 높아지면서 데이터 채널 등의 구조가 복잡해져
잡음이 발생하고 신호 왜곡 현상을 보여 데이터 처리 속도를 높이는데 한계가 있다.
그러나 램버스 디램(RDRAM)은 이런 복잡한 신호 전송망을 병렬로 배치해
단순화시킨 버스 방식을 채택하여 속도의 한계를 극복하였다.
램버스 디램은 4개의 다중 램버스 채널을 사용하는데
각각의 채널은 1초에 533MB를 전송할 수 있고,
4개의 채널을 사용하므로 이론적으로는 초당 2GB 이상의 전송 속도를 낸다.
또한 PC100 메모리의 2배인 267MHz까지 버스 속도를 내는 것으로 알려져 있다.
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SDRAM .
*Synchronous DRAM(SDRAM)
이 메모리는 CPU의 지배하에서 비교적 벗어나 있다고 할 수 있는데,
SDRAM은 제어신호를 기다리지 않고 무조건 데이터를 출력합니다.
즉 메인보드의 칩셋이 첫 번째 버스트 사이클 액세스 명령을 내리면
그 다음은 읽던 안읽던 무조건 SRAM의 데이터를 순서대로 출력하고 보는 것입니다.
그러므로 더욱 고속화할 수 있게 되는 것입니다.
그러나 무조건적으로 출력을 하는 것이 아니라 CPU의 클럭에 맞추어 데이터를 출력하는 것입니다.
즉, 메인보드 칩셋에서 스트 사이클 액세스 명령이 오자마자
CPU 클럭에 맞추어 데이터를 출력하는 것입니다.
또한 자신의 클럭으로 작동하기 때문에 다른 시스템이 더 빠른 클럭으로
동작할 수 있는 장점도 있습니다.
SD램의 가장 큰 특징은 시스템 클럭이 동기화(싱크로너스)되어 있다는 것이다.
즉, 모든 신호는 클럭과 거의 일치하며, 타이밍은 훨씬 타이트하고 조절하기 쉬워진다.
SD램은 어싱크로너스 D램보다 훨씬 빠르며, 시스템 성능 향상을 가져 온다
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DDRRAM.
Double Data Rate SD램(DDR SD램)
DDR SD램은 몇년 전의 구식 FPM, EDO 램 같은 어싱크로너스 D램을 대체하기 위해 발표되었다.
이런 구식 메모리는 75MHz 이상의 버스 속도에서 동작하기에는 한계가 있기 때문이다.
버스 속도가 계속 증가하면서 SD램 역시 그 한계를 보인다.
이런 SD램을 대체할 새로운 표준안중 하나가 바로
Double Data Rate SD램 또는 DDR SD램이라는 것이다.
DDR SD램은 표준 SD램과 거의 유사하게 동작하나
사이클당 두 번의 전송 - 클럭 신호의 rising, falling edge에서 - 을 하면서 대역폭을
두 배로 늘린 것이다.
이 클럭 신호라는 것은 각 사이클마다 0 → 1 → 0 의 과정을 거치게 되는데,
첫 번째 신호 변환(0 → 1)이 'rising edge'이고, 두 번째 신호 변환(1 → 0)이 'falling edge'이다.
표준 SD램은 이 두 번의 신호변환 중 한번만 데이터 전송이 되지만, DDR SD램은 둘 다 이용한다.
이것은 이미 많이 알려진 AGP 2x 기술에서 이용하는 것이다.
그래서 DDR SD램은 모듈보다는 그래픽카드 시장에서 인기를 끌며 적용되고 있음.
무엇보다도 시장에 빨리 나올 수 있고, 상대적으로 저렴하며,
그래픽카드의 확실한 성능 향상이 보장되기 때문이다. 반도체 Test
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