우선은 PN 다이오드에 순방향의 전압이 걸렸을경우,
+ [P | N] -
이렇게 생겼겠죠? P 형 반도체에는 정공(HOLE)이 많고, N형 반도체에는 전자가 많으니깐
위처럼 전압이 걸리게 되면.. P형 반도체 쪽에 있는 정공들은 (-)가 걸린 N형 반도체 쪽으로 쭉~ 흘러가게 되고, 반대로 N형 반도체 쪽에 있는 전자들은 (+)가 걸린 P형 반도체 쪽으로 쭉~ 가게 됩니다.. 그런고로 전류는 전공의 흐름을 말하는 거니깐.. 왼쪽에서 오른쪽으로 계속적으로 흐르는 거지요... 이때 전압은 어느정도 LEVEL을 가져야되는데 대략 전자회로(밀만 저)에서는 0.7v 정도 였던걸로 기억나네요..(이걸 threshold voltage라 하죠).. 하지만 이전압레벨은 다이오드 마다 다르답니다...
그럼 PN다이오드에 역방향의 전압이 걸렸을 경우,
- [P | N] +
이렇게 생겼겠죠..? 이때는 P형 반도체에 있는 정공들이 (-)전압이 걸린쪽으로 쏠리게 되고, N형 반도체 쪽에 있는 전자들은 (+) 쪽으로 쏠리게 되겠죠? 그럼.. 정공과 전자가 양쪽으로만 쏠리게 되어 PN 다이오드의 접합부분을 중심으로 가운데 영역이 텅빈 상태가 되는거죠... 그렇게 텅빈.. (사실은 FREE 전자와 FREE 정공이 없고 모두 원자와 결합되어 있는 상태) 영역을 공핍영역(Depletion 영역)이라고 하죠.. 그렇게 공핍영역이 생성되고나면.. 전압을 가해도 전류가 흘러가지 않게 되는 거죠..
그러나 전압을 무한히 키우면은 어느순간에 공핍영역이 파괴되면서 급작스럽게 전류가 흐르는데 이는 일종의 방전현상이라고 보면 됩니다..(영화나 티비에서 보면 고전압 전선이 가운데가 뚝 짤라졌는데... 전기가 공기중을 가르며 반대편의 전선으로 흘러가는 거 많이 봤죠..? 모.. 그런거죠)이걸 모라부르더라....
모 뜻이 산사태라는 의미의 영어단어 였는데.. 아.. avalanche 전압.. (금방 사전으로 찾았음..ㅎㅎ) 이상의 전압이 걸리게 되면 공핍영역도 파괴되면서 과도한 전류가 흐르게 되는 거지용....
이상 PN 다이오드에 관련된 내용이였구요.. 질문을 다시 읽어보니깐. 전압-전류 특성을 논하라던데.. 그건 전자회로책 보면 상세한건 알수 있을 꺼구요.. 대략적으로는 전류가 흐르지 않는다면 그 다이오드에 걸린 전압이 그대로 유지되는 거구요.. 전류가 흐른다면은 흐르는 전류량에 비례해서 다이오드에 걸린 전압이 떨어지는 거구요..