[감독]방호원론 p81 낮은에너지에서 저지능

[RI-Generator]

수고많으십니다.

저지능이라하면 물질이 주어진 하전입자에 대해 저지하는 능력을 말합니다.

저지능의 산출은 Bethe의 식으로 산출이 되는걸로 알고 있구요

하지만 식이 너무 어렵다보니 해석이 잘되지 않네요...

방호원혼p81쪽에 보면 물질의 저지능은

"낮은 에너지에서는 식(3.2)의 [   ]항의 영향으로 에너지에 비례하여 저지능이 증가한다"라고 나옵니다.

왜 에너지가 낮을때는 저지능이 에너지에 비례하여 커지는지 궁금합니다.

ps) 얼마전 객관식문제로

10MeV a입자 vs 1MeV a입자  중에

LET가 가장 큰 방사선은 어느것인가 논쟁이 이었던거 같은데요..

결국은 에너지가 크면 당연히 반응할 확률이 떨어지므로

1MeV가 더 크다고 댓글이 많은걸 봤습니다. 저도 동감하구요

p81쪽에 그래프 보니 확실히 물에대한 질량저지능은 1MeV에서 최대치를 가지고 에너지가 커질수록 점점 떨어지네요

[Uranium]

같은 물질이라도 에너지에 따라서 저지능이 달라지고 에너지 가 점점 커지면 저지능도 증가했다가 어느선에서는 감소하죠
예를들면 어떤물체가 1cm에서 0.4Mev 전자선을 100% 흡수하면 저지능은 0.4MeV/cm 이죠 그럼 0.4이하의 전자선은 모두 저지된다면 저지능은 0.2MeV/cm 0.1MeV/cm 이므로 에너지가 커질수록 저지능도 커지고 0.4MeV 이상에서는 반응확률이 줄어서 다시 작아지는것 같아요 저는 이렇게 이해했네요...

[러더포드!]

그럼 위에서 말씀하신 10Mev , 1Mev a선은 어떤값을 기준으로 1Mev가 저지능이 크다고 하는걸까요?