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반갑습니다..
다름이 아니고 TMS와 인허가 진행상 의문점이 있어 아래와 같이 질의드리오니
바쁘시겠지만 답변 부탁드립니다.....
질1) 반도체 생산공정중 석영(Quartz) 유리 튜버내 이물질제거나 WAFER(SI성분)
표면의 DUST,유기,무기물등 오염물질 제거하는 전처리 시설도 식각시설로
봐야하는지?
질2) 반도체 증착,식각시설중 염산 및 염화수소를 사용하는 배출시설이 연결된
방지시설(10,000m3/hr 이상)에 TMS를 부착하게 되어있는데 여기서 염화수소는
HCL GAS를 말하는 것인지?
또,염소(CL2)가스는 대상이 아닌지?
질3) 반도체 증착,식각시설의 배출시설 대상 용량은 얼마 이상인지?
이상 빠른 답변부탁드립니다... |
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(1) 유리 튜버내 이물질 제거나, 웨이퍼 표면의 오염물질 제거에 대한 구체적인 제거방법, 처리공정 등에 대한 구체적인 자료가 제시되지 아니하여 정확한 답변은 곤란하나, “식각시설”이라 함은 반도체 제조공정중의 하나로 에칭(Etching)이라 하기도 하며, 작업공정은 습식이나 건식으로 나누어지고, 습식은 용액으로 에칭하며, 건식은 가스 등을 이용한 방식으로 에칭하고자 하는 곳 이외의 부분에 감광제(photo resist)를 바르고 용액 또는 가스에 노출시키면 감광제에 의해 가려진 부분을 제외한 증착막을 제거하는 시설을 말하는 것으로서, 이물질 제거 방법 등에 대한 구체적인 자료를 구비하여 소관 행정기관이나 환경부 대기관리과(담당 김병주 전화 02-2110-6790)로 문의하시기 바랍니다.
(2) 굴뚝자동측정기기의 부착대상 배출시설 및 측정항목은 대기환경보전법 시행령 별표 2에서 규정하고 있으며, 현재 입법예고(2007.8.29)된 대기환경보전법 시행령 일부개정(안)에서 동 별표 2를 개정하여 반도체 및 기타 전자제품 제조시설의 증착시설, 식각시설도 굴뚝자동측정기기의 부착대상 배출시설에 포함하는 것으로 추진 중에 있으며, 동 개정안에서 굴뚝자동측정기기의 측정항목을 염화수소(HCl)만으로 개정추진 중입니다.
(3) 2007.1.31일 개정된 대기환경보전법 시행규칙 별표3의2 대기오염물질배출시설에서 반도체 및 기타 전자제품 제조시설 중 용적 3㎥ 이상의 증착(蒸着)시설, 식각(蝕刻)시설은 대기오염물질 배출시설로 추가되어 2007.7.1부터 시행되고 있습니다. | |
제목 : 대기 TMS 및 인허가 관련 질의
환경부
2007.09.14 17:46:55