Etch 용어
| Ammonium Fluoride NH4F |
깨끗한 수성용액으로 무취, 부식성, 독성, 허용농도 16.5ppm, 비가연성의 성질을 갖고 있다. 반도체 공정에서 HF(Hydrofluoric Acid)와 섞어 BOE(Buffered Oxide Etch) 용액을 만들어 Oxide Etch시 Etch Rate 등을 조정하여 Uniformity를 좋게 하는 완충용액으로 사용한다. |
| Ammonium Hydroxide NH4OH |
자극적인 Ammonia 냄새가 나는 색깔이 없는 액체로 부식성, 허용농도 25ppm, 비가연성의 성질을 갖는다. |
| Blas | 식각시 PR패턴의 임계치수 값과 식각후의 임계치후 값 간의 차이 |
| Buffered Oxide Etch (BOE) NH4F + HF |
NH4F(Amonium Fluoriede)와 HF(Hydrofluoric Acid)가 혼합된 화학물질로 Silicon Dioxide Etch에 사용된다. Etch시에 HF는 Oxide Etch에 직접관여하며 NH4F는 Etch Rate를 조정하여 Uniformity를 좋게하는 완충용액의 역할을 한다. Wafer 표면의 유기물 제거등 Cleaning Chemical로 사용되며 Metal Etch 용액의 일부가 되기도 한다. |
| Carbon Tetrafluoride CF4 |
비활성, 무색, 무취, 비가연성의 Gas로 Oxide, Nitride, 용해되지 않는 Metal 및 Metal Silicide를 Etching하는데 사용한다. |
| Chlorine Cl2 |
부식성, 독성, 진한 연녹색, 맵고 자극적인 냄새, 비가연성의 성질을 갖는 기체로 Aluminum이나 Silicon의 Etching에 사용되며, 또 Oxidation 공정이나 Metal의 오염을 방지하기 위하여 첨가제로 사용되기도 한다. |
| Dry Etch | Gas나 Plasma, Ion Beam등을 이용하여 행해지는 일련의 식각 공정을 통틀어 일컫는 말이다. |
| End Point | Etch가 끝나는 순간. |
| Etch | Wafer상의 특정지역의 물질을 화학반을 을 통해 제거해 내는 공정으로 이때 사용되는 물질을 Etchant라고 한다. Etch 방법에는 화학용액을 사용하는 Wet Etch와 가스나 플라즈마, 이온 빔 등을 이용하는 Dry Etch가 있다. |
| Etch Damage | 식각시 식각대상막의 아래층 막을 과도 식각하여 이상이 생기는 현상. |
| FI CD | 식각하고 난 후의 선폭(Final Inspection CD) |
| Hydrochloric Acid HCl |
무색의 액체로 열을 가했을 때 약간 노란색을 띤 증기가 발생하며, 부식성, 인화성 등이 있는 화학물질이다. 용도는 HF로 Dip Etch한 후 발생하기 쉬운 Wafer표면의 Metal Ion 제거 등에 사용되는 세척용액이다. |
| Hydrofluoric Acid HF |
무색의 물과 비슷한 액체로 약간 자극적인 냄새가 난다. 부식성, 독성, 허용농도 3ppm, 비가연성의 성질을 갖는다. Silicon Dioxide이나 Metal Layer등의 Etching에 사용되며, NH4F(Amonium Fluoriede)와 섞여 BOE(Buffered Oxide Etch)용액을 만든다. |
| Nitride Acid HNO3 |
황색을 띤 액체로 질식할 것 같은 냄새가 난다. 부식성, 비가연성, 허용농도 2ppm의 성질을 갖고 있다. Metal Etch 용액의 일부가 되며, HF등과 섞여 강력한 Silicon Etch용액을 만든다. |
| Over Etch | 식각 종료점(End Point)이 나타난 후에도 Wafer전면의 박막두께 균일성과 식각 균일성을 고려하여 어느 정도의 식각을 더해주는 것을 말한다. Under Etch의 반대. |
| Phosphoric Acid H3PO4 |
무색의 액체이며 금속과 반응하여 수소 Gas를 발생시킨다. 허용농도 0.25ppm, 비가연성으 성질을 갖는다. Aluminum과 같은 Metal의 Etch 혼합물로 사용되거나 Silicon Nitride를 Etch하는데 사용된다. |
| Under Etch | 원하는 두께보다 적게 식각하는 것. |
| Wet Etch | 반도체 제조공정에 있어 Wafer의 어떠한 표면층을 식각하고자 할때 화공약품(액체, 기체)를 이용하여 식각하는 방법. |
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