반도체 관련 용어 -Deposition 용어

[반올림]

반도체 관련 용어 정리
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Deposition 용어

Aluminum Target Al			99.999%의 고순도의 Alumium(Al)에 약 1%의 Silicon(Si)이 함유된 원판 형태의 Target으로 Chip안에서 소자간의 도선 연결을 위한 Metal Layer를 형성시키기 위해 사용하는 것으로 Sputtering장비에서 높은 전압에 의해 이온화된 Argon(Ar) Gas가 Aluminum Target을 때려 이때 분리되어 나온 Alumium(Al)l이 Wafer표면에 부착되어 Metal Layer를 형성하게 된다.
Ammonia NH3			부식성, 독성, 무색, 심한 자극적인 냄새, 가연성 등의 성질을 갖는 Gas로 silicon nitride와 같은 부전도성 박막형성과 CVD를 이용 Passivation Layer 등을 형성하며 Plasma CVD에서는 Nitride Deposition의 Nitrogen Source로 사용된다.
APCVD			Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition(상압화학기상증착) 상압(대기압 700mm Torr)의 반응 용기 내에 단순한 열에너지에 의한 화학반응을 이용 박막을 증착하는 방법.
BPSG			Borophosphorsilicate Glass PSG나 BSG의 단점을 보완하기 위해 사용되는 Passivation 막으로 보다 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 부식에 강하고 APCVD로 막 형성시 Process Parameter 조절이 용이한 특징을 갖고 있다.
BSG			Boro-Silicate Glass 반도체 표면의 안정화 등에 사용되는 Silicate 유리의 일종으로 Boron(B)과 Silicon(Si)이 결합한 유리질의 혼합물이다. 이물질의 생성은 Thermal Diffusion 과정, 고주파 Sputtering, CVD법 등이 있다.
CVD			Chemical Vapor Deposition 반도체 공정기술의 하나로 화학반응을 이용하여 Wafer 표면위에 단결정의 반도체막이나 절연막등을 형성하는 방법. 반응실의 압력에 따라 LPCVD(저압화학기상증착), APCVD(상압화학기상증착), HPCVD(고압화학기상증착)으로 나뉘며, PECVD등도 있다.
Dichloro Silane SiH2Cl2			부식성, 독성, 무색, 질식할 것 같은 냄새, 심한 가연성으로 폭발성이 강한 성질의 Gas로 LPCVD공정에서 Polysilicon, Silicon Dioxide, Silicon Nitride의 Silicon Source로서 사용되며, Epitaxial Layer형성에도 사용된다.
Epitaxial			그리스어의 Epi(Upon)와 Teinen(Arranged)에서 온 것으로 Arranged-0n(상방배열)의 뜻을 갖는다. 즉, 기판역할을 하는 단결정 Silicon Waferr위에 가스상태의 반도체 결정을 석출시키면 Substrate의 결정축을 따라서 결정이 성장되는 현상을 말한다.
Evaporation			고온의 열을 이용하여 Source의 물질을 증발시켜 Wafer에 증착시키는 공정으로, 금속을 단시간에 고온으로 가열하여 증발시키면, 증발한 금속이 사방으로 튀어나가서 가까이에 있는 온도가 낮은 물체(Wafer)의 표면에 부착하여 얇은 금속막이 형성되는 원리를 이용한 것이다. 반도체 제조공정에서 E-beam이나 필라멘트를 쓰는 것이 보통이며, 이 조작은 금속이 고온으로 산화해 버리기 때문에 진공 속에서 하게되는데 이것을 진공증착(Vacuum Evaporation)이라고 한다.
HPCVD			(고압화학기상증착)
LPCVD			Low Pressure Chemical Vapor Deposition 저압 (200~700mm Torr)의 반응 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학반응을 이용 박막을 증착하는 방법.
PECVD			Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 전자에의해 높은 에너지를 얻은 전자가 중성상태의 가스분자와 충돌하여 가스분자를 분해하고 이 분해된 가스 원자가 기판에 부착되는 반응을 이용하여 박막을 증착하는 CVD법이다.
Silicide
PSG			Phospho-Silicate Glass Silicon Dioxide의 표면에 Phosphorus를 확산할 경우 Silicon Dioxide의 표면은 Phosphorus를 다량 함유한 층으로 바뀐다. 이 층을 PSG라고 한다. PSG는 수분이나 그 밖의 불순물을 흡착하는 성질이 있고 또 PR의 밀착성을 나빠지게 하므로 Phosphorus확산후에 이것을 제거해 버리는 경우가 있으며, 또 Gattering 효과를 위해 남겨 놓는 경우도 있다.
PVD			Physical Vapor Deposition CVD(Chemica Vapor Deposition)에 대비해서 쓰는 말로 박막을 증착하는 과정에서 Sputtering등의 물리적 증착법을 이용하는 기술을 총칭하는 말이다.
Sputtering			Physical Vapor Deposition CVD에 대비해서 쓰는 박막을 증착하는 방법중 Sputtering등의 불리적 증착법을 이용하는 기술의 총칭.
	Package ; 반도체 IC를 Hermetic Seal 또는 Plastic Module로 포장한 것을 말하며, IC의 최종 형태이다. Package는 반도체 표면을 외부의 습기나 불순물로부터 보호할 뿐만 아니라 내부의 Chip이나 가느다란 Lead 선에 외부로부터 직접 인장력이 가해지는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한 Power Device 등에서는, 접합부에 발생한 열을 효과적으로 발산시키기 위해 Package 설계를 적절히 하는 것이 중요하다. Packing ; 제품의 포장 관련 작업 공정. 특히 정전기 발생을 방지할 수 있는 재료의 선택이 중요하다. Pad ; Lead Frame과 Bonding Wire를 연결할 수 있도록 소자내에 금속의 넓은 공간을 형성한 부분을 말한다. Paddle ; Chip이 얹혀지는 Lead Frame의 부분. Chip Size에 따라 Paddle Size가 결정된다.   Particle Induced X-ray Emission ; PIXE Passivation ; 보호막. 화학 작용이나 부식으로 인하여 제품이 전기적으로 퇴화하는 것을 막고 외부적인 물리적 충격으로부터 제품을 보호하기 위하여 제품의 표면에 입히는 보호막. 보통 Si3N4 또는 SiO2가 쓰인다. PCB ; Printed circuit Board. 인쇄 회로 기판 P Channel ; N형 기판에 P형 확산 영역을 형성한 MOS FET에 있어서 Source, Drain 사이에 흐르는 전류의 통로인 Channel이 정공에 의해서 형성된 것을 말한다 PECVD ; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. 전자에 의해 높은 에너지를 얻은 전자가 중성 상태의 가스 분자와 충돌하여 가스 분자를 분해하고 이 분해된 가스 원자가 기판에 부착되는 반응을 이용하여 박막을 증착하는 CVD법 Pellet ; Wafer 상에 소자 가공이 끝난 상태의 개개의 IC (=Chip, Die) Pellicle ; Mask나 Reticle에 공기중의 먼지 등 오염 물질이 닿지 않도록 얇고 완전 투명한 Nitrocellulose로 만든 보호막 Peri ; Memory IC에서 Cell Block과 Cell Block에 직접 연결된 Decoder, Sense Amp 등의 회로를 제외한 나머지 부분 Peripheral Circuit ; Memory IC에서 Cell Block과 Cell Block에 직접 연결된 Decoder, Sense Amp 등의 회로를 제외한 나머지 부분 Phosphorus Doped Vapor Deposited Silicon ; PVX. PVX (Doped Silox). 화학적으로 적층된 P가 많은 실리콘 산화막. PVX는 긁힘 방지용으로도 쓰이지만 보통 Vapox층을 쓴다. Phospho Silicate Glass ; PSG. Silicon Dioxide의 표면에 P를 확산할 경우 Silicon Dioxide의 표면은 P를 다량 함유한 층으로 바뀐다. 이 층을 PSG라고 한다. PSG는 수분이나 그 밖의 불순물을 흡착하는 성질이 있고 또 PR의 밀착성을 나빠지게 하므로 P 확산 후에 이것을 제거해 버리는 경우가 있으며, 또 Gattering 효과를 위해 남겨 놓는 경우도 있다. Photo Resist ; PR. 감광성 수지. 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라 양성(Positive)과 음성(Negative)으로 나뉜다. 양성인 경우는 Sensitizer에 의하여 특징 지워지며 음성인 경우는 Polymer에 의해서 특징 지워진다. 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외선 등에 대해 감도가 좋아야 한다. Photon Stimulated Desorption ; PSD Physical Vapor Deposition ; PVD. CVD(Chemica Vapor Deposition)에 대비해서 쓰는 말로 박막을 증착하는 과정에서 Sputtering 등의 물리적 증착법을 이용하는 기술의 총칭 PIXE ; Particle Induced X-ray Emission PKG ; Package. 반도체 IC를 Hermetic Seal 또는 Plastic Module로 포장한 것을 말하며, IC의 최종 형태이다. Package는 반도체 표면을 외부의 습기나 불순물로부터 보호할 뿐만 아니라 내부의 Chip이나 가느다란 Lead 선에 외부로부터 직접 인장력이 가해지는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한 Power Device 등에서는, 접합부에 발생한 열을 효과적으로 발산시키기 위해 Package 설계를 적절히 하는 것이 중요하다. Planar Structure ; 단일 평면에서 접합과 확산, 그리고 산화막 마스킹으로 만드는 평면 소자구조. 구조의 평면성은 PR 공정에 유리하다. Plasma ; 원자나 분자는 외부에서 높은 에너지를 가해주면 최외각 전자의 결합이 떨어져서 양이온 상태의 원자와 비결합 상태의 자유 전자가 독립적으로 존재하게 된다. 이렇게 양이온과 음이온이 무작위로 흩어져 있는 상태를 물질의 제4상태인 플라즈마라고 부르며, 전체적으로는 전기적으로 중성이다. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD. 전자에 의해 높은 에너지를 얻은 전자가 중성 상태의 가스 분자와 충돌하여 가스 분자를 분해하고 이 분해된 가스 원자가 기판에 부착되는 반응을 이용하여 박막을 증착하는 CVD법 Plastic Leaded Chip Carrier ; PLCC PLCC ; Plastic Leaded Chip Carrier PN Junction ; PN 접합. 결정내에서 주로 정공으로 전도하는 P 영역과 주로 전자로 전도하는 N 영역과의 접면 PNP ; 보통 Biopoler Transistor에 쓰이며 두개의 P 영역 사이에 N 영역이 들어있는 Transistor구조 PNP Transistor ; Emitter와 Collector의 P 영역 사이에 Base의 N 영역이 들어있는 Transistor Poly ; 많은 결정으로 구성된 실리콘. 결정 실리콘은 원래 다결정 실리콘으로 만든다.  Poly는 Epi를 너무 빨리  너무 저온으로 적층하면 만들어지고 (의도적이건 우연이건) 산화층이 적층해도 만들어 진다. (=Polycrystalline Silicon)   Polycrystalline Silicon ; 많은 결정으로 구성된 실리콘. 결정 실리콘은 원래 다결정 실리콘으로 만든다. Poly는 Epi를 너무 빨리  너무 저온으로 적층하면 만들어지고 (의도적이건 우연이건) 산화층이 적층해도 만들어 진다. (=Poly)   Positive Photo Resistor ; 양성 PR. 빛을 받은 부분이 현상(Develop)시에 제거되는 PR Positive PR ; 양성 PR. 빛을 받은 부분이 현상(Develop)시에 제거되는 PR Positive Resist ; 양성 PR. 빛을 받은 부분이 현상(Develop)시에 제거되는 PR. PR ; Photo Resist. 감광성 수지. 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라 양성(Positive)과 음성(Negative)으로 나뉜다. 양성인 경우는 Sensitizer에 의하여 특징 지워지며 음성인 경우는 Polymer에 의해서 특징 지워진다. 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외선 등에 대해 감도가 좋아야 한다. Probe Test ; 검사에서 제조된 Wafer의 전기적 특성 및 동작 상태를 검사하여 양품과 불량품을 분류하고 불량품에 대해 Repair가능 여부를 판단하여 필요시 전기적 방법이나 LASER로 Repair하는 Wafer Test 공정 (=EDS : Electrical Die Sorting, 전기적 소자 분류)   PSD ; Photon Stimulated Desorption PSG ; Phospho Silicate Glass. Silicon Dioxide의 표면에 P를 확산할 경우 Silicon Dioxide의 표면은 P를 다량 함유한 층으로 바뀐다. 이 층을 PSG라고 한다. PSG는 수분이나 그 밖의 불순물을 흡착하는 성질이 있고 또 PR의 밀착성을 나빠지게 하므로 P 확산 후에 이것을 제거해 버리는 경우가 있으며, 또 Gattering 효과를 위해 남겨 놓는 경우도 있다. P Type ; 반도체에서는 전기 전도에 기여하는 Carrier가 전자, 정공 및 그 양쪽 중 어느 것이 주체가 되는가에 따라서 세가지 전도형으로 나뉘는데, 그 중 정공이 Carrier의 주체가 되는 반도체를 P형 반도체라고 하며, Dopant는 3족 원소이다 Pulling ; Grower를 이용하여 단결정 실리콘 봉(Ingot)을 성장하는 공정에서 Ingot이 성장하는 Seed를. 성장로의 위쪽으로 끌어올리는 작업 PVD ; Physical Vapor Deposition. CVD에 대비해서 쓰는 말로 박막을 증착하는 과정에서 Sputtering 등의 물리적 증착법을 이용하는 기술의 총칭 PVX ; PVX (Doped Silox). Phosphorus Doped Vapor Deposited Silicon. 화학적으로 적층된 P가 많은 실리콘 산화막. PVX는 긁힘 방지용으로도 쓰이지만 보통 Vapox층을 쓴다.   PVX Doped Silox ; PVX. Phosphorus Doped Vapor Deposited Silicon. 화학적으로 적층된 P가 많은 실리콘 산화막. PVX는 긁힘 방지용으로도 쓰이지만 보통 Vapox층을 쓴다.

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