*샘플 출하 현황: 삼성전자가 5월에 먼저 샘플을 출하했고, SK하이닉스가 6월에 뒤이어 출하했음.
*용량 및 적층: 두 기업 모두 현재 12단, 48GB 용량의 샘플을 선보였음 (삼성은 향후 8단/32GB, 16단/64GB 라인업 계획 포함).
*성능 및 효율성:
핀 속도: SK하이닉스는 최대 16Gbps, 삼성전자는 14Gbps(16Gbps로 확장 가능)를 지원.
*전력 및 발열 제어: SK하이닉스가 전력 효율(+20%)과 내열성 개선(+17%) 측면에서 삼성전자(에너지 효율 +16%, 내열성 개선 +14%) 대비 수치상 조금 더 높은 개선율을 보이고 있음.
*공정 기술:
코어 다이(DRAM)는 양사 모두 1c D램 노드를 적용.
로직 베이스 다이의 경우 삼성전자는 자사의 4nm 공정을 사용하며, SK하이닉스는 TSMC의 3nm 공정을 사용할 가능성(potentially)이 있는 것으로 나타남.
*차세대(HBM5) 준비:
SK하이닉스는 패키지 내부에 통합 냉각 요소(ICE)를 갖춘 'iHBM'을 공개하며 HBM5를 타겟팅.
삼성전자는 HBM5를 위한 1d D램을 2027년 상반기 생산 목표로 하고 있으며, 2028년 양산을 타겟으로 한 HBM5 목업(모형)을 공개.
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