반도체 공정중 하나인 CVD(chemical vapor deposition)PVD는 공정중에 사용하는 위험한 화학 물질 ,가스,고압,고전압 등이 사용되는데 플라즈마 증착,플라즈마 식각,LPCVD,플라즈마를 이용한 폴리머 형성 등의 공정에서는 많은 양의 독성 및 위험성 가스들(SiH4,O2,F2,HF,CF4,PH3,NH3,AsH3,C6H6,CH4,HCL,H2)을 배기하여야 하는데 이과정에서 발생 되는 문제를 간략히 간추려 보았다
1:펌프가 폭발 할 수 있음
2:대부분의 공정 가스들이 매우 독성/부식성이 있으며 발화성이 있음
3:고정 chamber에서 입자들이 형성되어 펌프 내부로 들어와 회전 부위를 마모시킴
4:공정과 여러 표면에서의 화학 반응으로 인하여 공정에 사용된 가스와 다른 화합물들이 형성되어 펌프로 들어가는 가스들의 정확한 성분 및 조성은 알 수 없음
5:오일의 분해,폴리머 및 입자들의 형성과 소규모의 폭발로 인하여 펌프에 seizure가 발생
위의 문제들의 해결하기 위하여는 아래와 같은 조치들을 해야 한다.
1:모든hydrocarbon을 세척
2:공정에적합한 오일로 교체:chlorofluorocarbons,perfluorinatedalkyl polyethers,
perfluoro,polyethers(PFPE)이런 오일들은 Na,K,Al,amines,liquid CIF3등과 같이 사용해서는 안됨
3:모든 배기 되는 가스들은 scrubber로 보내 처리 할 것.
4:입자들이 생성되는 공정에는 inlet filter를 장착 할 것.
PS:진공기술 실무 참조..
1:펌프가 폭발 할 수 있음
2:대부분의 공정 가스들이 매우 독성/부식성이 있으며 발화성이 있음
3:고정 chamber에서 입자들이 형성되어 펌프 내부로 들어와 회전 부위를 마모시킴
4:공정과 여러 표면에서의 화학 반응으로 인하여 공정에 사용된 가스와 다른 화합물들이 형성되어 펌프로 들어가는 가스들의 정확한 성분 및 조성은 알 수 없음
5:오일의 분해,폴리머 및 입자들의 형성과 소규모의 폭발로 인하여 펌프에 seizure가 발생
위의 문제들의 해결하기 위하여는 아래와 같은 조치들을 해야 한다.
1:모든hydrocarbon을 세척
2:공정에적합한 오일로 교체:chlorofluorocarbons,perfluorinatedalkyl polyethers,
perfluoro,polyethers(PFPE)이런 오일들은 Na,K,Al,amines,liquid CIF3등과 같이 사용해서는 안됨
3:모든 배기 되는 가스들은 scrubber로 보내 처리 할 것.
4:입자들이 생성되는 공정에는 inlet filter를 장착 할 것.
PS:진공기술 실무 참조..
다음검색