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TR과 FET는 스위칭소자이다.
트랜지스터의 종류인데요, 크게 BJT와 FET 로 나눕니다.
BJT는 두개의 반송자인 전자와 정공의 운동에 의해 동작되는데요..
FET는 전계 효과 트랜지스터의 약자구요(Field Effect Transistor)
이와 달리 FET는 한가지 형태의 반송자에 의해 동작하는 단방향 소자.
FET는 다음 2가지로 분류되는데
접합형 FET : 입력 게이트가 반도체의 접합으로 구성되고 있는 FET 로
트랜지스터와 비교하여 훨씬 적은 입력 전류로 동작합니다．
ＭＯＳ 형 FET: 입력 게이트가 산화 실리콘 박막으로 절연되어 있는 FET 로
상당히 높은 입력 임피던스（전류가 흐르지 않는）를 갖고 있는 것이
특징입니다．
그러므로 FET의 장점은 구동전류(게이트 전류)가 거의 흐르지 않기 때문에
전력 사용 효율이 소전력을 사용하는 것에서는 TR 보다 좋고
동급의 전력을 취급시 드레인 소오스간 전압 강하가 TR 에 비해서 적기 때문에
(순저항 으로서 TR의 절반 이하수준)전력 이용률이 높은것입니다.
단점은 직선 증폭 작용이 TR 과 비교할때 비선형이고 게이트전압의 드라이브가
까다롭기 때문에 단순한 스위칭의 용도로는 적합하나 직선증폭용 으로는
(리니어 동작) 부적합 합니다.
FET 는 TR 과 마찮가지로 고속 스위칭용도 있습니다만
제조 공정상 구조적으로 게이트와 소오스간의 접합용량이 크게되므로
스위칭 속도가 TR보다는 느릴수밖에 없는것이지요.
그러므로 아주 고속을 요하는, 고주파를 취급하는 곳에서는 TR을 사용하나
약 500KHz 이하의 주파수 에서는 FET 를 스위칭 용으로 TR 보다 효율좋고
간단하게 사용할 수가 있고 가격도 별 차이가 없는 관계로 많이 쓰입니다.
해당하는 단자는 TR의 에미터는 (소오스)베이스는 (게이트)컬렉터는 (드레인)에 해당됩니다
다른해석
fet는 전장효과 트랜지스터..라고 하는데..
각핀은 트랜지스터와 비교할때..베이스는 gate..에미터 컬렉터..는 드레인 소오스...라고 불려지는데..
gate와 드레인 소오스간에는 거의 절연된채로 동작을합니다.
그래서 gate에 신호전압이 들어오면 드레인과 소오스에는 잘닦인 길처럼...전류가 흐르게 되죠..
전력소모가 적다는것입니다.
반면 트랜지스터는 전력소모가 많죠....
하지만 속도가 아주 빠른장점이 있습니다.
fet는 전력소모가 적은대신 속도가 트랜지스터보다 느립니다.
그래서 작은 디지털 시계등에 fet를 기반으로 만들어지고..시계가 작은수은전지 하나로 오래가는 이유가 되는것이죠..
회로에 대해서 조금 아신다면 트랜지스터로 이루어진 회로에는 +전원을 vcc(컬렉터)
라고 하지만 fet로 이루어진 회로에는 vss(소오스)라고 합니다..